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SK海力士公布最新HBM进展 称竞争焦点从内存性能转向封装技术_我的网站

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财联社8月24日讯(编辑 马兰)人工智能数据中心使用的高带宽内存(HBM)技术正在出现重大转向。SK海力士美国公司副总裁Lee Jae-sik最新表示,未来行业不仅需要关注HBM本身,还需要关注封装技术如何影响HBM。 10月25日,记者从省财政厅获悉,省财政厅加大工作力度,积极筹措资金,优化和调整支出结构,确保日前发布的城乡居民基本医疗保险提标政策有效落实。
目前,我省已下达省以上财政补助资金97.1亿元,惠及全省2100余万城乡参保居民。Lee在当地时间23日出席了美国斯坦福大学举行的半导体会议Hot Chips 2026,并发表了题为“HBM的高科技封装”演讲。
二 | 此前,省财政厅、省医保局、省税务局联合转发国家医保局、财政部、国家税务总局关于做好2024年城乡居民基本医疗保障有关工作的通知,决定自2024年起,继续提高我省城乡居民基本医疗保险筹资标准,人均财政补助标准较上年增加30元,达到每人每年不低于670元。 为做好相关工作,我省财政部门迅速行动,加强组织领导、健全工作机制、压实工作责任、强化部门协同,增强风险意识、加强基金管理、做好宣传解读,推动制度政策落实落细落好,切实维护群众医疗保障权益。他表示,在人工智能半导体时代,为了确保竞争力,不仅HBM本身的性能需要优化,GPU、封装和代工工艺也必须进行优化。 据介绍,随着资金下达到基层,下一步省财政厅还将督促市县财政部门落实支出责任,及时拨付资金。 同时,会同省医保部门强化城乡居民基本医疗保险基金预算绩效管理,确保各项政策措施落地见效,持续推进保障和改善民生。 责任编辑:李丹。目前,SK海力士的HBM采用三维堆叠式设计,通过硅通孔将多个核心芯片连接到一个基底芯片上。HBM目前最高可达16层堆叠。封装技术则采用了MR+MUF(回流焊+注塑底部填充)。相比于TC+NCF(热压+非导电薄膜),MR+MUF生产效率更高,热阻更低,但更容易发生芯片翘曲,并且存在间隙填充方面的不足。但SK海力士结合了翘曲控制和精细间距集成及窄间隙填充新技术,成功提高了现有HBM的性能。

三 | SK海力士还在开发混合键合封装技术,以实现超越16层堆叠的20层或更多层的目标。该技术可在相同高度下将核心芯片厚度增加高达24%,并通过消除现有微凸点并直接连接芯片,将凸点间距缩小至18微米以下。此外,该技术有望通过更高效的散热来减少发热问题。
携手优化的时代与现有存储器不同,HBM在人工智能半导体中首先被组装到中介层上。Lee指出,过去存储器是在系统组装的最后阶段安装的,但在人工智能时代截然不同,这要求HBM的可靠性更加重要。他补充称,HBM必须承受后续工艺中产生的热量和机械应力,因此与客户进行联合开发至关重要。这也意味着,内存厂商、GPU设计商、代工厂和封装厂商必须从一开始就进行协同设计。SK海力士还在会上发布了一项用于冷却HBM内部特定区域“热点”的技术。Lee表示,HBM的输入/输出速度越快,热量就越集中在某些区域。

四 | 正在开发的iHBM技术通过添加耐高温导热材料,只对热量集中的区域进行集中冷却,而非对整个HBM进行冷却。他还指出,HBM的带宽和容量未来将继续增长,但发热、功耗和封装将成为更大的挑战,这要求客户、代工厂和封装公司必须携手优化。

五 |
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Published on:09:45:50











